近日一則：“128G的iPhone6/Plus會(huì)莫名崩潰，恐導(dǎo)致大規(guī)模召回”。的新聞在網(wǎng)上瘋傳，并且引起了不少蘋果用戶的擔(dān)心，尤其是那些根據(jù)報(bào)道內(nèi)容：

“引起iPhone崩潰的原因竟然是NAND FLASHMEMORY（閃存）模塊中IC控制單元出現(xiàn)故障，并且蘋果為了減少成本使用了低價(jià)的NAND TLC FLASH MEMORY而非成本更高、速度更快的NAND MLC FLASH MEMORY。因此當(dāng)用戶安裝超過700個(gè)App時(shí)，iPhone便會(huì)自己崩潰，更令消費(fèi)者感到擔(dān)憂的是最新的iOS8.1更新中這個(gè)問題并未解決，問題是出在硬件上。”

NAND TLC/MLC FLASH MEMORY究竟是什么？

首先FLASH MEMORY作為閃存設(shè)備，是手機(jī)類設(shè)備的重要存儲(chǔ)介質(zhì)，由日本的東芝公司于1984年發(fā)明。在FLASH MEMORY中又分為NOR FLASH和NAND FLASH兩種常見的類型，其中NOR FLASH屬于第一代產(chǎn)品，第一款商用產(chǎn)品是1988年Intel公司所制造的NOR FLASH芯片，不過由于抹寫時(shí)間較長，成本較高的原因，NOR FLASH很快被NAND FLASH取代。NAND FLASH同樣是有東芝公司發(fā)明，在1988年的國際固態(tài)電路研討會(huì)（ISSCC）所發(fā)布。NAND FLASH具有較快的抹寫時(shí)間, 而且每個(gè)存儲(chǔ)單元的面積也較小，這讓NAND FLASH相較于NOR FLASH具有較高的存儲(chǔ)密度與較低的每比特成本。同時(shí)它的可抹除次數(shù)也高出NOR FLASH十倍。

在FLASH模塊中，數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在由浮閘晶體管組成的記憶單元數(shù)組內(nèi)，在單階存儲(chǔ)單元（Single-level cell, SLC）設(shè)備中，每個(gè)單元只存儲(chǔ)1比特的信息，這簡(jiǎn)稱為SLC NAND FLASH，其優(yōu)點(diǎn)是傳輸速度更快，功率消耗更低和存儲(chǔ)單元的壽命更長，不過缺點(diǎn)也很明顯：每個(gè)存儲(chǔ)單元包含的信息較少，其每百萬字節(jié)需花費(fèi)較高的成本來生產(chǎn)，因此不利于實(shí)際生產(chǎn)。

而多階存儲(chǔ)單元（Multi-level cell, MLC）設(shè)備則利用多種電荷值的控制讓每個(gè)單元可以存儲(chǔ)2比特以上的數(shù)據(jù)，其“多階”指的是電荷充電有多個(gè)能階（即多個(gè)電壓值），如此便能存儲(chǔ)多個(gè)比特的值于每個(gè)存儲(chǔ)單元中。借由每個(gè)存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)更多的比特，MLC閃存可降低生產(chǎn)成本，但比起SLC閃存，其傳輸速度較慢，功率消耗較高和存儲(chǔ)單元的壽命較低，因此MLC閃存技術(shù)會(huì)用在標(biāo)準(zhǔn)型的儲(chǔ)存卡中。

而這一次被韓國媒體猛烈抨擊的三階儲(chǔ)存單元（Triple-Level Cell, TLC）TLC閃存，它的架構(gòu)原理與MLC類似，但可以在每個(gè)儲(chǔ)存單元內(nèi)儲(chǔ)存3個(gè)信息比特。TLC的寫入速度比SLC和MLC慢，壽命也比SLC和MLC短，大約1000次，但是可以做到大容量和低價(jià)格。現(xiàn)在，廠商已不使用TLC這個(gè)名字，而是稱其為3-bit MLC。

iPhone中到底用了什么FLASH MEMORY

在韓國媒體的報(bào)道中“iPhone 不僅使用了成本更低的NAND TLC FLASH，更重要的是在其控制集成電路（IC）出現(xiàn)了故障。”在iPhone內(nèi)部，這塊IC主要任務(wù)是其他電子元器件和NAND之間的調(diào)度和控制，保證數(shù)據(jù)的正常寫入和讀取，平時(shí)用戶不管是拍照還是使用應(yīng)用都離不開它。

那么實(shí)際情況是否如韓國媒體報(bào)道的那樣？帶著好奇，筆者查閱ifixit的拆機(jī)資。根據(jù)128G的真機(jī)實(shí)拆圖顯示，其采用來自韓國的海力士（SKhynix）的NAND FLASH，型號(hào)為H2JTDG8UD1BMS。（圖中紅色部分）

這顆NAND FLASH在海力士的技術(shù)文檔中被歸為E2NAND 3.0，是由SK Hynix和Anobit合作開發(fā)的，而Anobit早已被蘋果收購，致力于提高閃存的穩(wěn)定性。雖然海力士并未明確標(biāo)注H2JTDG8UD1BMS的類型，但是在全球領(lǐng)先的微電子服務(wù)網(wǎng)站TechInsights上，H2JTDG8UD1BMS被明確規(guī)范為NAND MLC FLASH MEMORY。

因此此次韓國媒體存在著失實(shí)情況，iPhone 6 Plus所使用的就是NAND MLC FLASH MEMORY，而非所謂的廉價(jià)NAND TLC FLASH MEMORY。而至于這塊FLASH中的控制IC是否存在問題，目前蘋果官方并未出面解釋，在其他媒體上也未見反映，因此需要進(jìn)一步確認(rèn)。

這則新聞的背后

雖然iPhone 6 Plus中的技術(shù)細(xì)節(jié)已經(jīng)排查清楚，那么為什么這樣一則不實(shí)新聞會(huì)出現(xiàn)呢？筆者接著進(jìn)行了排查。

這則新聞最先出現(xiàn)于韓國媒體BusinessKorea，蹊蹺的是BusinessKorea引援的內(nèi)容均來自蘋果論壇上的同一個(gè)用戶，他在總計(jì)159篇的討論帖中都反映了128G iPhone 6 Plus的自動(dòng)崩潰問題。

顯然在這個(gè)過程中BusinessKorea存在著明顯的缺失，新聞事實(shí)明顯不足，證據(jù)單一，說服力較低。除此之外，也沒有查明iPhone 6 Plus的真實(shí)元器件，輕易得出了128G iPhone 6 Plus采用NAND TLC FLASH MEMORY的錯(cuò)誤結(jié)論。

雖然蘋果官方已經(jīng)表態(tài)，不存在128G iPhone 6 Plus大規(guī)模自動(dòng)崩潰的現(xiàn)象，更不可能大規(guī)模召回，但是這則失實(shí)新聞對(duì)不少蘋果用戶還是造成不小的影響。在筆者的實(shí)際使用過程中，iPhone 6確實(shí)出現(xiàn)過程序崩潰的現(xiàn)象，但是次數(shù)十分少見，多為越獄后插件沖突所致，而在日常生活中和媒體上更是從未見過高頻率的崩潰現(xiàn)象，因此各位128G的土豪用戶大可放心，只是各家媒體長點(diǎn)心吧！不要一味了眼球而不負(fù)責(zé)任的轉(zhuǎn)載。